BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon e BSC040N08NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC052N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,52 $1,15
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 BSC040N08NS5ATMA1
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Temperatura de junção de operação -55C to +150C -55 C to +175 C
Encapsulamento PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (unlimited) 1
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) — 121 A
On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 4 mOhm
Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc=25C) — 104 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Primary Application — Synchronous rectification in telecom and server power supplies

Fichas técnicas e recursos

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