BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC040N08NS5ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC052N08NS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC040N08NS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.52 | $1.15 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC052N08NS5ATMA1 | BSC040N08NS5ATMA1 |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 5.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5-3.0 V | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Total Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | -55 C to +175 C |
| 패키지 | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (unlimited) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| Maximum Drain Current (ID, Tc=25C, package-limited) | — | 121 A |
| On-Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | — | 4 mOhm |
| Power Dissipation (Ta=25C, 1in² PCB) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 104 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Primary Application | — | Synchronous rectification in telecom and server power supplies |