BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC052N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC059N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC052N08NS5ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,52 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +150C —
Encapsulado PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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