BSC052N08NS5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC052N08NS5ATMA1 par Infineon et BSC059N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC052N08NS5ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC052N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.2 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5-3.0 V —
Total Power Dissipation (Tc) 83 W —
Total Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis