BSC066N06NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC066N06NSATMA1 por Infineon y BSC016N06NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC066N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) 71 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1 (unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS™ 5
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Gate Drive (recommended) — 10 V

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