BSC066N06NSATMA1 vs BSC016N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC066N06NSATMA1 par Infineon et BSC016N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC066N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,65
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) 71 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS™ 5
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Series — OptiMOS™ 5 60V
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 100 A
Continuous Drain Current (ID, TA) — 30 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.6 mΩ
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 139 W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Gate Drive (recommended) — 10 V

Fiches techniques et ressources

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