BSC066N06NSATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC066N06NSATMA1 por Infineon y BSC059N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC066N06NSATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,49 $0,39
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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