BSC066N06NSATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC066N06NSATMA1 par Infineon et BSC059N04LSGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC066N06NSATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,49 $0,39
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C 45 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 256 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 6.6 mΩ (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.7 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC (typ) —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 46 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) 1.3 °C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 60 V trench-gate OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 16 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

Fiches techniques et ressources

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