BSC066N06NSATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC066N06NSATMA1 メーカー: Infineon および BSC059N04LSGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC066N06NSATMA1 | BSC059N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.49 | $0.39 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 64 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | 45 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 256 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 6.6 mΩ (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.7 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC (typ) | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 46 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | 1.3 °C/W | — |
| 動作接合温度 | -55°C to +150°C | — |
| パッケージ | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 60 V trench-gate | OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 73 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 16 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.9 mOhm |
| Power Dissipation (Tc=25C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) | — | 1.2 V to 2.0 V (typ) |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC] |
| 動作温度範囲 | — | -55 C to +150 C |
| REACH Status | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |