BSC070N10NS5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon y IPB027N10N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
BSC070N10NS5ATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 - 100V 7mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC070N10NS5ATMA1 ✓ Activo
Infineon
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 - 100V OptiMOS 3 N-FET, 2.7mΩ | Infineon

IPB027N10N3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC070N10NS5ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $1,62
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Rango de temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +150 C —
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C (TJ)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]

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