BSC070N10NS5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC070N10NS5ATMA1 por Infineon e IPB027N10N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC070N10NS5ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $1,62
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Faixa de temperatura de junção de operação -55 C to +150 C —
Encapsulamento PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]

Fichas técnicas e recursos

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