BSC070N10NS5ATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC070N10NS5ATMA1 par Infineon et IPB027N10N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC070N10NS5ATMA1 IPB027N10N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $1,62
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 80 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg] [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V]
Power Dissition at TC=25C (Ptot) 83 W —
Power Dissipation at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de jonction en fonctionnement -55 C to +150 C —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Typical Application Synchronous rectification in SMPS —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 3.4 mΩ
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 2.7 mΩ
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: exact °C/W value]
Single Pulse Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure]

Fiches techniques et ressources

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