BSC076N06NS3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC076N06NS3GATMA1 por Infineon y IPD034N06N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC076N06NS3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulado PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance Compliant —
Sin halógenos Yes (per Infineon product page) —
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
Estado RoHS — Compliant (Pb-free green finish)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

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