BSC076N06NS3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок BSC076N06NS3GATMA1 от Infineon и IPD034N06N3GATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 - 60V 50A 7.6mΩ OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon
BSC076N06NS3GATMA1 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | BSC076N06NS3GATMA1 | IPD034N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,65 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 50 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 7.6 mΩ | 3.4 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | 10.4 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 69 W | — |
| Диапазон рабочих температур | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Корпус | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Уровень MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Без галогенов | Yes (per Infineon product page) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 167 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 4 V at 93 uA |
| Pin Configuration | — | 3-Pin (2 + Tab) |
| Статус RoHS | — | Compliant (Pb-free green finish) |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page) |