BSC076N06NS3GATMA1 vs IPD034N06N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC076N06NS3GATMA1 par Infineon et IPD034N06N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 - 60V 100A OptiMOS 3 N-MOSFET | Infineon

IPD034N06N3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC076N06NS3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel Trench MOSFET N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 50 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7.6 mΩ 3.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V 10.4 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 69 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Compliance Compliant —
Sans halogène Yes (per Infineon product page) —
Series — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 167 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 4 V at 93 uA
Pin Configuration — 3-Pin (2 + Tab)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free green finish)
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page)

Fiches techniques et ressources

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