BSC077N12NS3GATMA1 vs BSC036NE7NS3GATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSC077N12NS3GATMA1 por Infineon y BSC036NE7NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ ActivoInfineon
BSC036NE7NS3GATMA1 - 75V 100A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
BSC036NE7NS3GATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | BSC077N12NS3GATMA1 | BSC036NE7NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,71 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 (120 V) | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 75 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 13.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 98 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | 400 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 7.7 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 139 W | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -55C to +150C | — |
| Encapsulado | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-7 (5x6 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Recuento de pines | 8 | — |
| Nivel MSL | 1 | 1 |
| Estado RoHS | Compliant | ROHS3 Compliant |
| Automotive Grade | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 100 A |
| On-Resistance (RDS(on) max @ VGS=10V) | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 2.6 V |
| Total Gate Charge (Qg typ @ VGS=10V) | — | 45 nC |
| Rise Time (tr typ) | — | 13 ns |
| Fall Time (tf typ) | — | 11 ns |
| Power Dissipation (PD max, Tc=25C) | — | 156 W |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 0.8 C/W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C |