BSC0902NSATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0902NSATMA1 por Infineon y BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0902NSATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $1,10
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 214 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
Sin halógenos Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (100V)
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Estado RoHS — Compliant
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

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