BSC0902NSATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSC0902NSATMA1 por Infineon e BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSC0902NSATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo NRND
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $1,10
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 214 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Encapsulamento PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
Livre de halogênio Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (100V)
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Status RoHS — Compliant
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação