BSC0902NSATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0902NSATMA1 par Infineon et BSC027N10NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0902NSATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,78 $1,10
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 24 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 100 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 214 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RDS(on) @ VGS=10V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
RDS(on) @ VGS=4.5V max [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Total Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification JEDEC qualified for target applications Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)
RoHS Compliance Compliant (Pb-free lead plating) —
Sans halogène Yes, per IEC 61249-2-21 —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Technology — OptiMOS 5 (100V)
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fiches techniques et ressources

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