BSC0911NDATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0911NDATMA1 por Infineon y BSC066N06NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0911NDATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,46 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A 256 A
Power Dissipation (PD) 1 W —
Encapsulado PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 5 60 V trench-gate
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 26 nC (typ)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C

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