BSC0911NDATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC0911NDATMA1 par Infineon et BSC066N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC0911NDATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,49
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 25V —
Configuration Dual N-Channel (2 N-CH) —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 30 A 256 A
Power Dissipation (PD) 1 W —
Boîtier PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Technology OptiMOS trench MOSFET OptiMOS 5 60 V trench-gate
Gate Threshold (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 26 nC (typ)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Température de jonction en fonctionnement — -55°C to +150°C

Fiches techniques et ressources

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