BSC0911NDATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC0911NDATMA1 제조: Infineon 및 BSC066N06NSATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | BSC0911NDATMA1 | BSC066N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.46 | $0.49 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 25V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (2 N-CH) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 30 A | 256 A |
| Power Dissipation (PD) | 1 W | — |
| 패키지 | PG-TISON-8 (8-PowerTDFN) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55C to +150C (junction) | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 5 60 V trench-gate |
| Gate Threshold (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | 26 nC (typ) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 64 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | 45 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 6.6 mΩ (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 46 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.3 °C/W |
| 동작 접합 온도 | — | -55°C to +150°C |