BSC093N15NS5 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC093N15NS5 por Infineon y BSC093N15NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC093N15NS5 BSC093N15NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $1,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC093N15NS5 —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 150V
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 87 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.3 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 139 W —
Encapsulado PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical value] [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Estado RoHS Compliant Compliant
AEC-Q100 Automotive Qualified Not qualified (standard grade) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Sin halógenos — [DATA_NEEDED: halogen free status]

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