BSC093N15NS5 vs BSC093N15NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC093N15NS5 par Infineon et BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC093N15NS5 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,68 | $1,83 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC093N15NS5 | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | OptiMOS 5 150V |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 87 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 9.3 mOhm | — |
| Power Dissipation (Tc) | 139 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical value] | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 Automotive Qualified | Not qualified (standard grade) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |