BSC094N06LS5ATMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC094N06LS5ATMA1 por Infineon y BSD235CH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC094N06LS5ATMA1 BSD235CH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,38 $0,12
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS™ low-voltage
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Encapsulado PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 °C to +150 °C (junction)
Polarity — N-channel + P-channel
Channel Mode — Enhancement
Recuento de pines — 6

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