BSC094N06LS5ATMA1 vs BSD235CH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: BSC094N06LS5ATMA1 제조: Infineon 및 BSD235CH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
BSD235CH6327XTSA1 - 20V Complementary N+P MOSFET | Infineon OptiMOS™
BSD235CH6327XTSA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | BSC094N06LS5ATMA1 | BSD235CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.38 | $0.12 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC094N06LS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 (logic-level) | OptiMOS™ low-voltage |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 9.4 mΩ | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 36 W | — |
| 동작 접합 온도 | -55 °C to +150 °C | — |
| 패키지 | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (lead-free) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Part Family | — | OptiMOS™ |
| Configuration | — | N+P complementary dual MOSFET |
| N-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 950 mA |
| P-Channel Continuous Drain Current (ID) | — | 530 mA (negative polarity) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 500 mW |
| Package Type | — | PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Polarity | — | N-channel + P-channel |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| 핀 수 | — | 6 |