BSC0993NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC0993NDATMA1 por Infineon y BSC035N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC0993NDATMA1 BSC035N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 30V —
Configuration Dual N-Channel (Array) —
Drain-Source Voltage (Vds) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Ta 17 A —
Encapsulado PG-TISON-8 PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Channel Mode Enhancement —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
ESD Protection Yes (integrated) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Rds(on) max @ Vgs=10V [DATA_NEEDED: Rds(on) value] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Series — OptiMOS 3
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 21 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.5 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 69 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55°C to +150°C

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