BSC0993NDATMA1 vs BSC035N04LSGATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSC0993NDATMA1 por Infineon e BSC035N04LSGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSC0993NDATMA1 | BSC035N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,32 | $0,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 30V | — |
| Configuration | Dual N-Channel (Array) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Ta | 17 A | — |
| Encapsulamento | PG-TISON-8 | PG-TDSON-8-1 (8-pin, exposed drain pad) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +150C (junction) | — |
| ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Rds(on) max @ Vgs=10V | [DATA_NEEDED: Rds(on) value] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 21 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 3.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.7 V (typ) |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C | — | 69 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55°C to +150°C |