BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC100N10NSFGATMA1 por Infineon y BSC027N10NS5ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC100N10NSFGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo NRND
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,49 $1,10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

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