BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC027N10NS5ATMA1 比較

詳細な並列比較: BSC100N10NSFGATMA1 メーカー: Infineon および BSC027N10NS5ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ BSC100N10NSFGATMA1 BSC027N10NS5ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 NRND
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.49 $1.10
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 5 (100V)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta 11.4 A —
Continuous Drain Current (ID), Tc 90 A —
Power Dissipation (PD), Tc 156 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 10 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
パッケージ PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (for rated RDS(on)) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Part Number — BSC027N10NS5ATMA1
Channel Type — N-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 194 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.7 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Power Dissipation (Tc) — 214 W
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Qualification — Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately)

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