BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC190N15NS3GATMA1 por Infineon y BSC360N15NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC190N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,98 $0,82
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm 36 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55°C to +150°C (junction)
Encapsulado PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

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