BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC360N15NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC190N15NS3GATMA1 par Infineon et BSC360N15NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC190N15NS3GATMA1 BSC360N15NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,82
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm 36 mOhm
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C -55°C to +150°C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC360N15NS3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 33 A
Power Dissipation (PD) at Tc — 74 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) typ — 3.0 V
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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