BSL606SNH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon y BSP295H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BSL606SNH6327XTSA1 | BSP295H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,19 | $0,35 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Technology | OptiMOS3 trench MOSFET | Planar N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 4.5 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 60 mOhm (max, VGS = 10 V) | — |
| Total Power Dissipation (PD) at Ta | 2 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | 5.6 nC (max) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +150C (Tj) | -55 °C to +150 °C |
| Encapsulado | PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) | PG-SOT223-4 (3 leads + tab) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | AEC-Q101 (Automotive) |
| Estado RoHS | Compliant (Pb-free plating) | Compliant |
| Nivel MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C | — | 1.8 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C | — | 1.8 W |
| Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | — | 300 mΩ |
| Tape and Reel Packing Code | — | H6327 (7-inch reel) |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Drain Tab Connection | — | Pin 4 (tab) |