BSL606SNH6327XTSA1 vs BSP295H6327XTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: BSL606SNH6327XTSA1 제조: Infineon 및 BSP295H6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ 활성
Infineon
BSP295H6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 - 60V 1.8A N-Ch MOSFET SOT-223 | Infineon

BSP295H6327XTSA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 BSL606SNH6327XTSA1 BSP295H6327XTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.19 $0.35
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS3 trench MOSFET Planar N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 4.5 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 60 mOhm (max, VGS = 10 V) —
Total Power Dissipation (PD) at Ta 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge (Qg) 5.6 nC (max) —
동작 온도 범위 -55C to +150C (Tj) -55 °C to +150 °C
패키지 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible) PG-SOT223-4 (3 leads + tab)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) AEC-Q101 (Automotive)
RoHS 상태 Compliant (Pb-free plating) Compliant
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25 °C — 1.8 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25 °C — 1.8 W
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 300 mΩ
Tape and Reel Packing Code — H6327 (7-inch reel)
Channel Mode — Enhancement
Drain Tab Connection — Pin 4 (tab)

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