BSO150N03MDGXUMA1 vs BSZ036NE2LSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSO150N03MDGXUMA1 por Infineon y BSZ036NE2LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSO150N03MDGXUMA1 BSZ036NE2LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,37 $0,42
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSO150N03MDGXUMA1 —
Product Type Dual N-Channel MOSFET Array —
Technology OptiMOS 3M (30V trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max per channel 9.3 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 15 mOhm at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 1.0 V —
Power Dissipation (PD) max 1.4 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55C to +150C
Encapsulado PG-DSO-8 (SO-8 with exposed pad) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) 1 (Unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Channel Configuration Dual N-Channel (independent) —
Product Family — OptiMOS 25V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 37 W
Configuration — Single
Lead-Free — Yes
Gate Drive — Logic-level compatible

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