BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP135H6327XTSA1 por Infineon y BSP129H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP135H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,43 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C (junction)
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

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