BSP135H6327XTSA1 vs BSP129H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP135H6327XTSA1 par Infineon et BSP129H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP135H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,43 $0,30
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V 4.2 ohm (some sources 6 ohm)
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 350 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 1.8 W
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction)
Threshold Voltage VGS(off) — [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)]
dv/dt Ruggedness — Yes (rated)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free — Yes
Process Technology — SIPMOS (vertical DMOS)
Drain Terminal — Tab (pin 4)

Fiches techniques et ressources

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