BSP149H6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP149H6327XTSA1 por Infineon y BSS806NH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP149H6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,60 $0,19
Transistor Polarity N-Channel —
Mode of Operation Depletion Mode (normally ON) —
Drain-Source Voltage VDS 200 V —
Continuous Drain Current ID 660 mA (Ta) —
Power Dissipation PD 1.8 W (Ta) —
On-State Resistance RDS(on) 1 ohm (typ) —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT23-3 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C (Tj) —
Technology SIPMOS OptiMOS 2 (trench MOSFET)
Channel Count 1 —
Recuento de pines 4 (G, D, S, tab) —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free plating)
Configuration Single —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 2.3 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 57 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.8 V rated (logic level)
Gate Drive (recommended VGS) — 1.8 V to 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: typical Qg]
Power Dissipation (PD, Ta) — 500 mW
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C (junction)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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