BSP149H6327XTSA1 vs BSS806NH6327XTSA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de BSP149H6327XTSA1 por Infineon e BSS806NH6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | BSP149H6327XTSA1 | BSS806NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,60 | $0,19 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Mode of Operation | Depletion Mode (normally ON) | — |
| Drain-Source Voltage VDS | 200 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 660 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation PD | 1.8 W (Ta) | — |
| On-State Resistance RDS(on) | 1 ohm (typ) | — |
| Gate-Source Voltage VGS | [DATA_NEEDED: max VGS rating] | — |
| Encapsulamento | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT23-3 (SOT-23-3) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | -55 C to +150 C (Tj) | — |
| Technology | SIPMOS | OptiMOS 2 (trench MOSFET) |
| Channel Count | 1 | — |
| Contagem de pinos | 4 (G, D, S, tab) | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free plating) |
| Configuration | Single | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 2.3 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) | — | 57 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.8 V rated (logic level) |
| Gate Drive (recommended VGS) | — | 1.8 V to 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 500 mW |
| Faixa de temperatura de operação | — | -55 C to +150 C (junction) |
| Nível MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |