BSP88H6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon y BSS169H6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP88H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,21 $0,15
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 360 mW (Ta)
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
Rango de temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Recuento de pines — 3
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

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