BSP88H6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSP88H6327XTSA1 por Infineon e BSS169H6327XTSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSP88H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,21 $0,15
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 360 mW (Ta)
Encapsulamento PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Temperatura de operação -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
Faixa de temperatura de operação — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Contagem de pinos — 3
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Fichas técnicas e recursos

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