BSP88H6327XTSA1 vs BSS169H6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP88H6327XTSA1 par Infineon et BSS169H6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP88H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,21 $0,15
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V —
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C 170 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 360 mW (Ta)
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V —
Configuration Single —
Température de fonctionnement -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) Depletion-mode vertical DMOS
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] Pinch-off approx. -3.5 V (typical)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
RDS(on) Maximum — 6 Ohm at VGS=0 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum rating]
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: junction/ambient operating temperature range]
Nombre de broches — 3
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Drain Current at 25C — 170 mA continuous
Typical RDS(on) — [DATA_NEEDED: typical RDS(on) value]

Fiches techniques et ressources

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