BSP92PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSP92PH6327XTSA1 por Infineon y BSS87H6327FTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSP92PH6327XTSA1 BSS87H6327FTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,31 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -250 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) -260 mA (Ta) 260 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta) 1 W (Ta)
Encapsulado PG-SOT223-4 (SOT-223-4) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Channel Polarity P-Channel —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (Tj) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
Nivel MSL 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Recuento de pines 4 (Gate, Drain, Drain, Source) 3 (Gate / Drain / Source)
FET Type — N-Channel enhancement-mode
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización