BSP92PH6327XTSA1 vs BSS87H6327FTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP92PH6327XTSA1 par Infineon et BSS87H6327FTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP92PH6327XTSA1 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,31 | $0,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS P-Channel Small-Signal Power MOSFET | — |
| Type de transistor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -250 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -260 mA (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta) | 1 W (Ta) |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-4) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Polarity | P-Channel | — |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C (Tj) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Nombre de broches | 4 (Gate, Drain, Drain, Source) | 3 (Gate / Drain / Source) |
| FET Type | — | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (junction) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |