BSS119NH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS119NH6327XTSA1 por Infineon y BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS119NH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,12 $0,32
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Encapsulado PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (junction, typical)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Recuento de pines — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Sin halógenos — Yes (Infineon 'green' package)

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