BSS119NH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS119NH6327XTSA1 por Infineon e BSS126H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS119NH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,12 $0,32
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
FET Technology Enhancement-mode, planar N-channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 190 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 500 mW —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 6 Ω (typical) [DATA_NEEDED: exact VGS condition and max value] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 0.8 V to 1.8 V (typical) [DATA_NEEDED: exact min/typ/max] —
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Encapsulamento PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) [DATA_NEEDED: TA range from datasheet] -55C to +150C (junction, typical)
Qualification AEC-Q101 (automotive grade) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Packaging Tape & Reel (3,000 pcs/reel) —
Nível MSL 1 [DATA_NEEDED: confirm from datasheet] 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Contagem de pinos — 3
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
Livre de halogênio — Yes (Infineon 'green' package)

Fichas técnicas e recursos

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