BSS126H6327XTSA2 vs BSS127H6327XTSA2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS126H6327XTSA2 por Infineon y BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS126H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,32 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Encapsulado SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction, typical) —
Recuento de pines 3 3
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Sin halógenos Yes (Infineon 'green' package) Yes, per IEC 61249-2-21
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización