BSS126H6327XTSA2 vs BSS127H6327XTSA2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS126H6327XTSA2 par Infineon et BSS127H6327XTSA2 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS126H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Boîtier SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) —
Nombre de broches 3 3
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes (Infineon 'green' package) Yes, per IEC 61249-2-21
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

Fiches techniques et ressources

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