BSS126H6327XTSA2 vs BSS127H6327XTSA2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de BSS126H6327XTSA2 por Infineon e BSS127H6327XTSA2 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro BSS126H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,03
FET Type N-Channel Depletion Mode N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 21 mA —
Power Dissipation (PD) at Ta 500 mW —
On-Resistance (RDS(on)) Max 500 ohm (typical for depletion-mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) Range [DATA_NEEDED: VGS max/min] —
Technology SIPMOS (DMOS) —
Encapsulamento SOT-23-3 (PG-SOT23) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (junction, typical) —
Contagem de pinos 3 3
Configuration Single —
Channel Mode Depletion (normally-on at VGS = 0) —
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes (Infineon 'green' package) Yes, per IEC 61249-2-21
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4.5 V (logic level, rated)
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
Temperatura de junção de operação — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101

Fichas técnicas e recursos

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