BSS308PEH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSS308PEH6327XTSA1 por Infineon y IRLML6346TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BSS308PEH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,11 $0,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Tipo de transistor P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Encapsulado / Carcasa PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Polarity — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Encapsulado — Micro3 / SOT-23
Technology — HEXFET Power MOSFET
Nivel MSL — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

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